PECVD工藝中由於等離子體中高速運行的電子撞擊到中性的反應氣體分子,就會使中性反應氣體分子變成碎片或處於激活的狀態容易發生反應;借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體,在局部形成離子體,而等離子體化學活性很強,很容易反應,在基片上沉積出所期望的薄膜;具有基本溫度低、沉積速率快、成膜質量好、針孔較少、不易龜裂等優點;
更新時間:2020-08-25
在線留言一、產品應用
PECVD工藝中由於等離子體中高速運行的電子撞擊到中性的反應氣體分子,就會使中性反應氣體分子變成碎片或處於激活的狀態容易發生反應;借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體,在局部形成離子體,而等離子體化學活性很強,很容易反應,在基片上沉積出所期望的薄膜;具有基本溫度低、沉積速率快、成膜質量好、針孔較少、不易龜裂等優點;
二、產品特點
1、整機采用SUS304不鏽鋼材質,流線型外觀,真空吸附成型的優質高純氧化鋁多晶纖維固化爐膛,保溫性能好。
2、爐子底部裝有一對滑軌,移動平穩,可以手動從一端滑向另一端,實現快速的加熱和冷卻。爐蓋可開啟,可以實時觀察加熱的物料。
3、采用高純石英管,向日葵视频app入口下化學穩定性強,耐腐蝕,熱膨脹係數極小。
4、采用SUS304不鏽鋼快速法蘭,通過用向日葵视频app入口“O”型圈緊密密封可獲得高真空,一個卡箍就能完成法蘭的連接,放、取物料方便快捷。
5、加熱元件采用康奈爾發熱絲,表麵負荷高、經久耐用。設計溫度1200℃,升溫速率10℃/min。
6、可選配多路質量流量計,數字顯示、氣體流量自動控製;內置不鏽鋼混氣箱,每路氣體管路均配有逆止閥,可通過控製麵板上的旋鈕來調節氣體流量。
7、等離子射頻電源:最大射頻功率達500W,輸出頻率13.56MHz±0.005%,輸入電源 208-240VAC, 單相50/60Hz。
三、技術參數
型號 | HTF1200-2.5/20-2M-LV-PE | HTF1200-5/20-4M-LV-PE | HTF1200-6/40-2M-HV-PE | HTF1200-8/40-4M-HV-PE |
設計溫度(℃) | 1200 | 1200 | 1200 | 1200 |
控溫精度(℃) | ±1 | ±1 | ±1 | ±1 |
加熱區直徑(mm) | 25 | 50 | 60 | 80 |
加熱區長度(mm) | 200 | 200 | 400 | 400 |
加熱管長度(mm) | 450 | 450 | 1000 | 1000 |
恒溫區長度(mm) | 80 | 80 | 150 | 150 |
額定電壓(V) | 220 | 220 | 220 | 220 |
額定功率(KVA) | 1.2 | 1.2 | 3 | 3 |
射頻電源功率(W) | 5~300 | 5~300 | 5~500 | 5~500 |
真空機組 | HTF-101 | HTF-101 | HTF-104 | HTF-104 |
供氣係統 | HTF-2F | HTF-4F | HTF-2M | HTF-4M |