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化學氣相沉積爐(CVD係統)

簡要描述:

高真空CVD係統是一款專業在沉底材料上生長高質量石墨烯、碳納米管、碳化矽的專用設備,廣泛應用於在半導體、納米材料、碳纖維、碳化矽、鍍膜等新材料新工藝領域。

更新時間:2020-09-04

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化學氣相沉積爐(CVD係統)

一、產品應用

  高真空CVD係統是一款專業在沉底材料上生長高質量石墨烯、碳納米管、碳化矽的專用設備,廣泛應用於在半導體、納米材料、碳纖維、碳化矽、鍍膜等新材料新工藝領域。

二、產品特點

  高真空CVD係統主要由向日葵视频app视频污版在线下载官网腔體、石英管、石英支架、氣路係統、分子泵機組、自動化控製係統、冷卻係統等組成。

1、沉底材料可采用銅箔、石墨等;

2、生長腔體采用進口高純石英管,配石英支架、為石墨烯等材料的生長提供潔淨環境;

3、爐膛采用進口高純氧化鋁多晶體纖維,不易掉粉、壽命長且保溫性能好。加熱絲采用優質摻鉬鐵鉻鋁合金加熱絲,溫場均勻,能耗低;

4、密封法蘭均采用不鏽鋼材質,配水冷套,可連續長時間工作;

5、氣路係統采用兩路質量流量計(可拓展多路),配預混係統;

6、氣體種類: He/Ar、C2H2、NH3、N2, H2、PH3、GeH4、B2H6;

7、溫度、氣體、真空、冷卻水等通過PLC控製,通過PC實時控製和顯示相關的實驗參數,自動保存實驗參數,也可采用手動控製;

8、係統采用集成化設計,控製係統、混氣罐、質量流量計等均內置在箱體內部,占地麵積小。整體安裝四個可移動輪子,方便整體移動。

三、技術參數 

型號

HTF1200-2.5/20-2F-LV

HTF1200-5/20-4F-HV

HTF1200-6/40-2M-LV 

HTF1200-8/40-4M-HV 

設計溫度(℃)

1200 

1200 

1200 

1200 

控溫精度(℃)

±1 

±1  

±1  

 ±1 

 加熱區直徑(mm)

25 

50 

60 

80 

 加熱區長度(mm)

200 

200 

400 

400 

 加熱管長度(mm)

450 

450 

1000 

1000 

 恒溫區長度(mm)

80 

80 

150 

150 

額定電壓(V)

220 

220 

220 

220 

額定功率(KVA)

1.2 

1.2 

3 

3 

真空機組

HTF-101 

HTF-103 

HTF-101 

HTF-103 

供氣係統

HTF-2F 

HTF-4F 

HTF-2M 

HTF-4M 

 

 

 

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